氮化鎵（GaN）市場(chǎng)研究報(bào)告_2022-2028年中國(guó)氮化鎵（GaN）行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)與投資可行性報(bào)告

氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，有更高的禁帶寬度，是迄今理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系，下游應(yīng)用包括微波射頻器件（通信基站等），電力電子器件（電源等），光電器件（LED 照明等）。

目前采用氮化鎵的微波射頻器件主要用于軍事領(lǐng)域、4G/5G 通訊基站等，由于涉及軍事安全，國(guó)外對(duì)高性能氮化鎵器件實(shí)行對(duì)華禁運(yùn)。因此，發(fā)展自主氮化鎵射頻功放產(chǎn)業(yè)，有助于打破國(guó)外壟斷，實(shí)現(xiàn)自主可控。

得益于 GaN 可處理更高頻率和更高能效的電源，相比硅組件，GaN 可以在尺寸和能耗減半的條件下輸送同等的功率，從而提高功率密度，幫助客戶在不增大設(shè)計(jì)空間的同時(shí)滿足更高的功率要求。而大范圍的 5G 網(wǎng)絡(luò)覆蓋要求運(yùn)營(yíng)商部署更高功率和運(yùn)行頻率的設(shè)備，GaN 的功率密度優(yōu)勢(shì)可以滿足他們的需求。

據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，截至2017年12月底中國(guó)4G宏基站數(shù)量為328萬(wàn)座。中國(guó) 5G 宏基站數(shù)量有望達(dá)到 500 萬(wàn)座，為 4G 基站數(shù)量的 1.5 倍。宏基站建設(shè)將會(huì)拉動(dòng)基站端 GaN 射頻器件的需求量，考慮到 5G 基站的建設(shè)周期，預(yù)計(jì)到 2023 年基站端 GaN 射頻器件規(guī)模達(dá)到頂峰，達(dá)到 112.6 億元。

2019-2024年基站端GaN射頻器件規(guī)模及預(yù)測(cè)

中企顧問網(wǎng)發(fā)布的《2022-2028年中國(guó)氮化鎵（GaN）行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)與投資可行性報(bào)告》共八章。首先介紹了中國(guó)氮化鎵（GAN）行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展環(huán)境、氮化鎵（GAN）整體運(yùn)行態(tài)勢(shì)等，接著分析了中國(guó)氮化鎵（GAN）行業(yè)市場(chǎng)運(yùn)行的現(xiàn)狀，然后介紹了氮化鎵（GAN）市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局。隨后，報(bào)告對(duì)氮化鎵（GAN）做了重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析，最后分析了中國(guó)氮化鎵（GAN）行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)與投資預(yù)測(cè)。您若想對(duì)氮化鎵（GAN）產(chǎn)業(yè)有個(gè)系統(tǒng)的了解或者想投資中國(guó)氮化鎵（GAN）行業(yè)，本報(bào)告是您不可或缺的重要工具。
本研究報(bào)告數(shù)據(jù)主要采用國(guó)家統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，海關(guān)總署，問卷調(diào)查數(shù)據(jù)，商務(wù)部采集數(shù)據(jù)等數(shù)據(jù)庫(kù)。其中宏觀經(jīng)濟(jì)數(shù)據(jù)主要來(lái)自國(guó)家統(tǒng)計(jì)局，部分行業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)主要來(lái)自國(guó)家統(tǒng)計(jì)局及市場(chǎng)調(diào)研數(shù)據(jù)，企業(yè)數(shù)據(jù)主要來(lái)自于國(guó)統(tǒng)計(jì)局規(guī)模企業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)及證券交易所等，價(jià)格數(shù)據(jù)主要來(lái)自于各類市場(chǎng)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)庫(kù)。

報(bào)告目錄：

第一章氮化鎵相關(guān)概述

第一節(jié) 氮化鎵基本介紹

一、氮化鎵簡(jiǎn)介

二、氮化鎵形成階段

三、氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)

四、氮化鎵半導(dǎo)體作用

第二節(jié) 氮化鎵材料的特性

一、結(jié)構(gòu)特性

二、化學(xué)特性

三、光學(xué)特性

四、電學(xué)性質(zhì)

第三節(jié) 氮化鎵的制備方法

第二章半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展全面解析

第一節(jié) 半導(dǎo)體材料相關(guān)概述

一、第一代半導(dǎo)體材料

二、第二代半導(dǎo)體材料

三、第三代半導(dǎo)體材料

第二節(jié) 2015-2019年全球半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展綜述

一、產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況分析

二、市場(chǎng)規(guī)模分析

三、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

四、市場(chǎng)研發(fā)突破

第三節(jié) 2015-2019年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)運(yùn)行情況分析

第四節(jié) 半導(dǎo)體材料行業(yè)存在的問題及發(fā)展對(duì)策

第五節(jié) 半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展前景展望

第三章 2015-2019年氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度分析

第一節(jié) 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述

一、產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程

二、民用市場(chǎng)起步

三、國(guó)產(chǎn)化將加速

四、成本競(jìng)爭(zhēng)分析

五、GaN應(yīng)用項(xiàng)目

第二節(jié) 2015-2019年氮化鎵市場(chǎng)發(fā)展動(dòng)況

一、射頻氮化鎵市場(chǎng)快速增長(zhǎng)

二、GaN器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸

三、GaN市場(chǎng)增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)因素

第三節(jié) 氮化鎵材料專利分析

一、氮化鎵專利時(shí)間及區(qū)域分布

二、氮化鎵專利技術(shù)布局

三、氮化鎵重點(diǎn)研發(fā)機(jī)構(gòu)

四、氮化鎵高價(jià)值專利分析

五、國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力提升建議

第四章氮化鎵器件主要類型發(fā)展分析

第一節(jié) 發(fā)光二極管（LED）

一、發(fā)光二極管（LED）發(fā)展概述

二、發(fā)光二極管（LED）市場(chǎng)發(fā)展情況分析

三、2015-2019年中國(guó)發(fā)光二極管所屬行業(yè)進(jìn)、出口數(shù)據(jù)分析

四、氮化鎵基藍(lán)綠光LED發(fā)展歷程

五、氮化鎵在LED領(lǐng)域的技術(shù)突破

第二節(jié) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）

一、場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)展概述

二、GaN

三、氮化鎵FET研究進(jìn)展

第三節(jié) 激光二極管（LD）

一、激光二極管發(fā)展概述

二、激光二極管背景技術(shù)

三、2015-2019年中國(guó)激光器所屬行業(yè)進(jìn)、出口數(shù)據(jù)分析

四、GaN基激光器研究現(xiàn)狀調(diào)研

五、GaN基激光器材料分析

六、GaN基激光器的應(yīng)用

第四節(jié) 二極管（Diodes）

一、二極管（Diodes）發(fā)展概述

二、2015-2019年中國(guó)二極管所屬行業(yè)進(jìn)、出口數(shù)據(jù)分析

三、氮化鎵二極管研發(fā)動(dòng)態(tài)

四、垂直GaN二極管技術(shù)突破

第五節(jié) 太陽(yáng)能電池（SolarCells）

一、2015-2019年中國(guó)太陽(yáng)能電池所屬行業(yè)進(jìn)、出口數(shù)據(jù)分析

二、InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池發(fā)展概述

三、InGaN/GaN量子阱太陽(yáng)能電池效率影響因素

四、InGaN/GaN量子阱太陽(yáng)能電池效率提升工藝

五、InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池發(fā)展展望

第五章氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析

第一節(jié) 氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用

第二節(jié) 氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用

第三節(jié) 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用

第四節(jié) 氮化鎵在通訊設(shè)備產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用

第五節(jié) 氮化鎵其他領(lǐng)域應(yīng)用分析

一、GaN在4C產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用

二、GaN在無(wú)線基站領(lǐng)域應(yīng)用

三、GaN對(duì)自動(dòng)駕駛汽車的影響

四、GaN在紫外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用

五、GaN在紅外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用

六、GaN在壓力傳感器中的應(yīng)用

七、GaN在生物化學(xué)探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用

第六章國(guó)際氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

第一節(jié) 美高森美（Microsemi）

一、企業(yè)發(fā)展概況

二、企業(yè)經(jīng)營(yíng)情況分析

三、企業(yè)主要微波射頻產(chǎn)品

第二節(jié) Qorvo，Inc.

一、企業(yè)發(fā)展概況

二、企業(yè)經(jīng)營(yíng)情況分析

三、主要氮化鎵產(chǎn)品及應(yīng)用

第三節(jié) MACOM Technology Solutions Holdings，Inc.

一、企業(yè)發(fā)展概況

二、企業(yè)經(jīng)營(yíng)情況分析

三、企業(yè)產(chǎn)品發(fā)布動(dòng)態(tài)

第四節(jié) 雷神（Raytheon Company）

一、企業(yè)發(fā)展概況

二、企業(yè)經(jīng)營(yíng)情況分析

三、企業(yè)GaN技術(shù)研究進(jìn)展

第五節(jié) 恩智浦（NXP Semiconductors N.V.）

一、企業(yè)發(fā)展概況

二、企業(yè)經(jīng)營(yíng)情況分析

三、企業(yè)GaN技術(shù)研究進(jìn)展

第六節(jié) 英飛凌（Infineon Technologies AG）

一、企業(yè)發(fā)展概況

二、企業(yè)經(jīng)營(yíng)情況分析

三、企業(yè)業(yè)務(wù)部門布局

第七章中國(guó)氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

第一節(jié) 蘇州納維科技有限公司

第二節(jié) 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司

第三節(jié) 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司第四節(jié) 三安光電股份有限公司

第五節(jié) 廈門乾照光電股份有限公司

第八章 2022-2028年氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析及前景預(yù)測(cè)（）

第一節(jié) 氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析

一、產(chǎn)業(yè)投資機(jī)會(huì)

二、企業(yè)投資動(dòng)態(tài)

第二節(jié) 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景

一、市場(chǎng)發(fā)展機(jī)遇

由于 5G 蜂窩網(wǎng)絡(luò)布局有一定的極限，為了滿足熱點(diǎn)地區(qū)的網(wǎng)絡(luò)需求，在宏基站之外，還需要布臵小基站組成微蜂窩網(wǎng)絡(luò)。由于小基站不能對(duì)宏基站造成干擾，頻率較宏基站更高，以 Sub-6GHZ 為主，GaN 射頻器件是很好的選擇。據(jù)測(cè)算數(shù)據(jù)，中國(guó) 5G 網(wǎng)絡(luò)小基站需求約為宏基站的 2 倍，即需要 1000 萬(wàn)站小基站。按照每個(gè)小基站需要 2 個(gè)放大器，小基站建設(shè)進(jìn)度落后宏基站 1 年測(cè)算，到 2024年基站端 GaN 射頻器件規(guī)模達(dá)到峰值，可達(dá) 9.4 億元。

2022-2028年中國(guó)5G小基站GaN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)