IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展?jié)摿?/h1>

http://m.hxud.cn  2011-12-19 10:50  中企顧問網(wǎng)

本文導(dǎo)讀：今后十年是中國社會從小康走向初步富裕的重要時期，作為一個發(fā)展中國家，發(fā)展電力電子正是完成工業(yè)化、推廣信息化的重大舉措。我們將看到今后十年有關(guān)電力電子的新思想、新理論、新技術(shù)、新材料、新產(chǎn)品、新應(yīng)用將在政產(chǎn)學研各界的共同努力下，不斷涌現(xiàn)，為持續(xù)造福于人民做出應(yīng)有貢獻。

      IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為新一代新型電子電力半導(dǎo)體器件，它是將功率MOSFET和GTR集成在一個芯片上的復(fù)合器件。功率MOSFET是單極型電壓驅(qū)動器件。它具有工作速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好以及驅(qū)動電路簡單特點，但它導(dǎo)通電阻較大，電流容量也較低，而GTR是雙極型電流驅(qū)動器件，其阻斷電壓高，載流能力強，但工作速度較慢，驅(qū)動電流大、控制電路較復(fù)雜。

      中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)（www.chyxx.com）分析師李子干指出，進入21世紀以來，作為強電－弱電接口、推進現(xiàn)代先進制造技術(shù)關(guān)鍵的電力電子正方興未艾地在世界上發(fā)展。今后十年是中國社會從小康走向初步富裕的重要時期，作為一個發(fā)展中國家，發(fā)展電力電子正是完成工業(yè)化、推廣信息化的重大舉措。我們將看到今后十年有關(guān)電力電子的新思想、新理論、新技術(shù)、新材料、新產(chǎn)品、新應(yīng)用將在政產(chǎn)學研各界的共同努力下，不斷涌現(xiàn)，為持續(xù)造福于人民做出應(yīng)有貢獻。

      中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)發(fā)布的《2012-2016年中國半導(dǎo)體市場競爭格局與投資方向研究報告》中指出，目前中國IGBT 行業(yè)中高端技術(shù)已有突破，初步形成從芯片設(shè)計到芯片封裝的產(chǎn)業(yè)鏈，較強的成本優(yōu)勢將是中國本土企業(yè)與國外公司競爭的有力手段。伴隨著未來幾年IGBT 市場的高速增長，國產(chǎn)化進程的啟動將會使產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋的企業(yè)受惠。