Hynix發(fā)布首款54nm制程的2GB移動DRAM
http://m.hxud.cn 2008-12-06 09:55 中企顧問網(wǎng)
本文導(dǎo)讀：Hynix發(fā)布首款54nm制程的2GB移動DRAM，提供能源礦產(chǎn)、石油化工、IT通訊、房產(chǎn)建材、機(jī)械設(shè)備、電子電器、食品飲料、農(nóng)林牧漁、旅游商貿(mào)、醫(yī)藥保艦交通物流、輕工紡織等行業(yè)專業(yè)研究報告
韓國半導(dǎo)體制造商Hynix（海力士）發(fā)布了目前世界第一款采用54nm工藝的2GB移動DRAM。
Hynix突破了目前采用MCP封裝以及PoP封裝的移動DRAM只有最高1GB容量密度的限制，成功實現(xiàn)了2GB的容量密度。新產(chǎn)品工作在1.2V的電壓下，傳輸速度最高可達(dá)到400Mbps，而且通過32-bit的IO每秒可處理1.6Gigabytes的數(shù)據(jù)，其功耗也比目前的少很多。
據(jù)Hynix稱，該產(chǎn)品已經(jīng)通過了JEDEC標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，將會在2009年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。
Hynix突破了目前采用MCP封裝以及PoP封裝的移動DRAM只有最高1GB容量密度的限制，成功實現(xiàn)了2GB的容量密度。新產(chǎn)品工作在1.2V的電壓下，傳輸速度最高可達(dá)到400Mbps，而且通過32-bit的IO每秒可處理1.6Gigabytes的數(shù)據(jù)，其功耗也比目前的少很多。
據(jù)Hynix稱，該產(chǎn)品已經(jīng)通過了JEDEC標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，將會在2009年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。
